Вакуумный пост ВН 2000

Вакуумный пост ВН 2000 предназначен для получения пленок из различных материалов с высокой производительностью методом магнетронного распыления, а также для подготовки объектов, исследуемых с помощью электронного микроскопа или других аналитических приборов.

Прибор может быть применен для исследований в области физики, химии, биологии, медицины и других областях науки и техники.

Прибор предназначен для эксплуатации в стационарных лабораторных условиях при температуре окружающего воздуха от 15 до 25 °С и относительной влажности не более 80%. Наличие в помещении агрессивных паров недопустимо.

Конструктивные особенности

Питание прибора осуществляется от трехфазной сети переменного тока напряжением 220/380 В, частотой 50 Гц.

• Остаточное давление в высоковакуумном объеме пpи охлаждении ловушки жидким азотом 1,3 х 10-4 Па.
• Остаточное давление в высоковакуумном объеме при охлаждении ловушки водой 1,3 10-3 Па.
• Ток накала испарителей 200 А.
• Температура столика для нагрева объектов 1100°С.
• Температура столика для охлаждения объектов, °С, минус 160.
• Напряжение на выходе высоковольтного выпрямителя 7 кВ.
• Максимальный ток тлеющего разряда 47 мА.
• Максимальное напряжение на выходе высоковольтного выпрямителя источника питания магнетрона, кВ, не менее 0,9.
• Максимальный ток магнетрона, мА, не менее 300.
• Температура в районе подложки устройства для осаждения пленок не менее 300°С. Время нагрева не более 30 мин.
• Время смены подложек не более 7 с, скорость вращения подложек не менее 0,5 с -1.
• Заслонка устройства смены подложек обеспечивает перекрытие потока испаряемого вещества от испарителя к подложкам.
• Устройство дискретного испарения обеспечивает подачу на испаритель в процессе испарения измельченного вещества.
• С помощью пультов управления обеспечивается выход в рабочий режим вакуумной системы из холодного состояния, и коммутация вакуумной системы во время работы.

Магнитораспыляющая система обеспечивает:

• универсальность процесса, что позволяет получить пленки металлов, сплавов и полупроводников;
• высокую скорость осаждения с возможностью ее регулирования в широких пределах;
• сохранение соотношения компонентов при распылении вещества сложного состава;
• получение особо чистых пленок;
• высокую адгезию пленок и подложки;
• возможность изменения структуры и свойств пленок;
• распыление нескольких материалов без разгерметизации объема;
• низкую пористость пленок даже при малых толщинах;
• небольшое тепловое воздействие на обрабатываемую структуру;
• высокую энергетическую эффективность процесса;
• использование для осаждения и травления широкого класса материалов.